控制器輸出開(kāi)關(guān)信號(hào)控制旁通泄壓閥的接觸器通斷電，通過(guò)接觸器控制旁通泄壓閥的啟動(dòng)和停止。 PG301差壓控制器技術(shù)指標(biāo)：

1、PG301差壓控制器技術(shù)指標(biāo)：

介質(zhì)：空氣、非燃燒和非腐蝕性氣體

工作溫度：-20 ~ 85℃

*大耐壓：10KPa

過(guò)程連接：高壓和低壓孔均為6mm，

P1(+):連接到更高的壓力

P2(-):連接到較低的壓力

重量:有/無(wú)蓋:160 g / 115 g

控制器壽命:超過(guò)10萬(wàn)的機(jī)械控制器操作

電氣等級(jí):

標(biāo)準(zhǔn): Max.1.5(0.4A)/ 250VAC 低壓: Max. 0.1A / 24 VDC

切換率: Max.6次/分鐘

電氣連接 AMP浮子插入6.3mm×0.8mm，DIN標(biāo)準(zhǔn)：46244，或者按鍵式螺紋端子。電纜PG-11或者M(jìn)20×1.5

正壓送風(fēng)壓力傳感器的安裝：

正壓送風(fēng)系統(tǒng)通常由正壓送風(fēng)機(jī)、通風(fēng)管道、旁通泄壓閥、旁通管道、旁通泄壓閥控制箱、壓差控制器、連接線等組成，其中壓差控制器、泄壓閥控制箱、連接線等智能壓差控制系統(tǒng)一套獨(dú)立的聯(lián)動(dòng)系統(tǒng)，可以弱電施工也可以是消防施工，但是都應(yīng)由消防施工單位來(lái)調(diào)試并負(fù)責(zé)驗(yàn)收，所以個(gè)人建議為避免扯皮，還是放在消防標(biāo)段比較合適。

硅

三、硅-藍(lán)寶石 硅-藍(lán)寶石材料是通過(guò)外延生長(zhǎng)技術(shù)將硅晶體生長(zhǎng)在藍(lán)寶石（α-Al2O3）襯底上形成的。硅晶體可以認(rèn)為是藍(lán)寶石的延伸部分，二者構(gòu)成硅-藍(lán)寶石SOS晶片。藍(lán)寶石材料為絕緣體，在其上面淀積的每一個(gè)電阻，其電性能是完全獨(dú)立的。這不僅能消除因PN結(jié)泄漏而產(chǎn)生的漂移，還能提供很高的應(yīng)變效應(yīng)和高溫（≥300℃）環(huán)境下的工作穩(wěn)定性。藍(lán)寶石材料的遲滯和蠕變小到可以忽略不計(jì)的程度，因而具有的重復(fù)性；藍(lán)寶石又是一種惰性材料，化學(xué)穩(wěn)定性好，耐腐蝕，抗輻射能力強(qiáng)；藍(lán)寶石的機(jī)械強(qiáng)度高。 綜上所述，充分利用硅-藍(lán)寶石的特點(diǎn)，可以制作出具有耐高溫、耐腐蝕及抗輻射等優(yōu)越性能的傳感器和電路；但要獲得精度高、的指標(biāo)，還必須解決好整體結(jié)構(gòu)中材料之間的熱匹配性，否則難以達(dá)到預(yù)期的目標(biāo)。由于硅-藍(lán)寶石材料又脆又硬，其硬度僅次于金剛石，制作工藝技術(shù)比較復(fù)雜。

除使用單晶SiC(Single)薄膜外,在MEMS的許多應(yīng)用

除使用單晶SiC（Single-SiC）薄膜外，在MEMS的許多應(yīng)用場(chǎng)合，還可選用多晶SiC(Poly-SiC)薄膜。與單晶SiC薄膜相比，多晶SiC的適用性更廣。它可以在多種襯底（如單晶硅、絕緣體、SiO2犧牲層及非晶硅等）上，采用等離子體強(qiáng)化氣相淀積，物理濺射、低壓氣相淀積及電子束等技術(shù)生長(zhǎng)成薄膜，供不同場(chǎng)合選擇使用。 總之，SiC是一種具有優(yōu)良性質(zhì)的材料，具有寬帶隙、高擊穿場(chǎng)強(qiáng)、高熱導(dǎo)率、高電子飽和速度及優(yōu)良的力學(xué)和化學(xué)性能。這些特性使SiC材料適合制造高溫、高功率及高頻率電子器件時(shí)選用；也適合制造高溫半導(dǎo)體現(xiàn)貨供應(yīng)前室壓差控制器時(shí)選用。