





當火災發生時,這些防煙設施會為上述空間加壓送風,防止煙氣和熱量進入,為逃生的人們營造一個區和通道。但是如果防排煙設備一直工作,會出現樓梯間、前室或合用前室正壓過大,造成火域的人無法打開消防門進入區。為了既能夠保證煙氣和熱量不侵入防煙樓梯間、前室或合用前室,又能夠保證火人們能輕松推開防火門進入防煙區,一般要求防煙樓梯間的余壓值(即壓差值)為40Pa至50Pa或者前室、合用前室的余壓值為25Pa至30Pa
特點:
◆直接輸出開關控制信號;
◆供電及信號輸出采用總線制傳輸;
◆標準式結構、安裝方便、可靠性高;
◆壓差控制器與樓頂控制箱配套控制旁通泄壓閥打開關閉。
通用型前室壓力傳感器|前室差壓控制器|樓梯間壓力傳感器|樓梯間壓差控制器技術參數:
量 程:0-100PA
耐 壓:1000Pa
動作壓力:前室/走道:28~32PA,(復位壓力:15~20PA);
樓梯間/前室:40~50PA,(復位壓力:30~40PA);
壓力轉換成電信號的壓力變送器和傳感器
隨著科技的發展自動化技術的進步,在工業設備中我們常見的加工定制前室壓力傳感器除了液柱式壓力計、彈性式壓力表外,目前更多的是采用可將壓力轉換成電信號的壓力變送器和傳感器。加工定制前室壓力傳感器是將壓力轉換為電信號輸出的傳感器。通常傳感器由兩部分組成,即分別是敏感元件和轉換元件。其中敏感元件是指傳感器中能夠直接感受或響應被測量的部分;轉換元件是指傳感器中將敏感元件感受或響應的被測量的應變轉換成適于傳輸或測量的電信號部分。

硅單芯片為襯底的SiC薄膜
五、SiC薄膜材料 SiC是另一種在特殊環境下使用的化合物半導體。它由碳原子和硅原子組成。利用離子注入摻雜技術將碳原子注入單晶硅內,便可獲得的立方體結構的SiC。隨著摻雜濃度的差異得到的晶體結構不同,可表示為β-SiC。β表示不同形態的晶體結構。用離子注入法得到的SiC材料,自身的物理、化學及電學特性優異,表現出高強度、大剛度、內部殘余應力很低、化學惰性極強、較寬的禁帶寬度(近乎硅的1-2倍)及較高的壓阻系數的特性;因此,SiC材料能在高溫下耐腐蝕、抗輻射,并具有穩定的電學性質。非常適合在高溫、惡劣環境下工作的微機電選擇使用。 由于SiC單晶體材料成本高,硬度大及加工難度大,所以硅單晶片為襯底的SiC薄膜就成為研究和使用的理想選擇。通過離子注入,化學氣相淀積(VCD)等技術,將其制在Si襯底上或者絕緣體襯底(SiCOI)上,供設計者選用。例如航空發動機、火箭、及等耐熱腔體及其表面部位的壓力測量,便可選用以絕緣體為襯底的SiC薄膜,作為感壓元件(膜片),并制成高溫壓力微傳感器,實現上述場合的壓力測量。測壓時的工作溫度可達到600℃以上。



